Kaksi vyöhykeputki -uunia

Kaksi vyöhykeputki -uunia(kaksoislämpötilavyöhykkeen putkiuuni) on edistyksellinen lämpökäsittelylaite, jota käytetään pääasiassa materiaalitieteessä, kemiallisessa tekniikassa, puolijohteiden valmistuksessa ja muissa tieteellisen tutkimuksen ja teollisuustuotantoalueiden tarkan lämpötilanhallinnan tarpeissa . Se koostuu pääasiassa neljästä osasta, uunin rungosta, lämpötilanhallintajärjestelmästä, kaasunhallintajärjestelmästä, uuniputkesta .}}}}}}}}}

Kaksivyöhykeputkenuunia käytetään laajasti metallimateriaalien, kuten hehkutuksen, sammuttamisen, karkaisun ja muiden prosessien ., lämmityskäsittelyssä . sitä käytetään laajasti myös materiaalitieteellisissä tutkimuksissa, kemiallisissa tuotannossa ja muissa kentissä . simuloimalla erilaisia ​​lämpötilaympäristöjä, jotka voivat tarkkailla ja analysoida suorituskykymuutosten muutoksia erilaisten lämpötila-olosuhteiden alaisuudessa, joten uusi lämpötila-olosuhteet Materiaalit . kemianteollisuudessa kaksoislämpötila-putken uunit tarjoavat tarkan lämpötilanhallinnan sileiden kemiallisten reaktioiden varmistamiseksi samalla, kun parannetaan tuotteen laatua ja satoa .

1. Lämpötilan gradientikokeet: Kaksinkertaisen vyöhykkeen putkenuunit voivat luoda merkittäviä lämpötilagradientteja, jolloin näytteet voivat käydä läpi erilaisia ​​hapettumisprosesseja eri lämpötila -alueilla . Tämä auttaa tutkijoita ymmärtämään sen vaikutuksen materiaalin hapettumisnopeuteen, hapettumistuotteiden tyyppiin ja oksidikerroksen rakenteeseen .}}}}}
2. Hapetuskinetiikkatutkimus: Kontrolloimalla tarkasti kahden vyöhykkeen lämpötilaa tutkija voi tarkkailla materiaalin hapettumisnopeuden muutosta eri lämpötiloissa ja tutkia siten hapettumisreaktion kineettistä prosessia . Tämä auttaa paljastamaan hapettumisreaktion mekanismin ja nopeudenhallintavaiheet .}}}}}}}}}}}}}}
3. Hapetustuoteanalyysi: Kaksoisvyöhykkeen putkiuuni voidaan käyttää myös materiaalien hapetustuotteiden tutkimiseen eri lämpötilaolosuhteissa . keräämällä ja analysoimalla hapettumistuotteita, tutkija voi ymmärtää materiaalien hapettumiskäyttäytymisen eri lämpötiloissa ja sen suhteessa lämpötilaan .}

Sovellusalueet ja varotoimenpiteet käytettäväksi

Lämmönkestävien materiaalien kehittäminen

 

Keraamisten materiaalien valmistelu:

Niitä voidaan käyttää lämmönkestäviä pinnoitteita, jotka ylläpitävät vakaita ominaisuuksia korkean lämpötilan ympäristöissä ., esimerkiksi lämmittämällä ja käsittelemällä pinnoitusmateriaaleja eri lämpötilavyöhykkeillä, pinnoitteet, joissa on erinomainen lämpö ja hapettumiskestävyys

Korkean lämpötilan anturien kehittäminen:

Kun kehitetään korkean lämpötilan antureita, niitä voidaan käyttää anturin korkean lämpötilan vastus- ja stabiilisuuden ja . testaamiseen {., esimerkiksi anturin lämmitys ja testaaminen kaksoisvyöhykkeen korkean lämpötilan ympäristössä voidaan arvioida suorituskykymittarit, kuten reaktiivisuus, herkkyys ja tarkkuus korkealla lämpötiloissa .}}}}}}}}}}}}}

Lämpöherkkien materiaalien kehitys

Termistoreita kehitetään:

Näitä voidaan käyttää termistorien kehittämiseen ja testaamiseen . lämmittämällä ja testaamalla termisoreita eri lämpötilavyöhykkeiden alla, on mahdollista arvioida niiden vastusmuutos ja lämpöherkkyys eri lämpötiloissa ., esimerkiksi kehitettäessä uusia korkean vääntöjen termalsiivisiä materiaaleja ja soveltavia termisoriominaisuuksia {3

Lämpötilan anturien ja lämpötilanhallintaelementtien valmistus:

Niitä voidaan käyttää myös lämpötilan anturien ja lämpötilanhallintaelementtien . valmistukseen säätelemällä tarkasti lämpötilaa ja aikaa eri lämpötilavyöhykkeillä, antureilla ja lämpötilanhallintaelementeillä, joilla on erinomainen lämpötilan herkkyys ja stabiilisuus, voidaan valmistaa erilaisten teollisuuslaitteiden ja instrumenttien lämpötilanhallinta- ja seurantaan ..

 

 Diffuusioprosessi
Puolijohdevalmistuksessa diffuusio on avainvaihe, jota käytetään epäpuhtauksien tekemiseen puolijohdemateriaaleihin niiden sähköisten ominaisuuksien muuttamiseksi . Se voi toteuttaa epäpuhtauksien tarkan leviämisen hallitsemalla tarkalleen eri vyöhykkeiden lämpötiloja ja ilmakehäämiä .

example: In the manufacture of N-type semiconductors, impurities such as phosphorus (P) or arsenic (As) need to be doped into silicon (Si). By using it, source gases containing impurities can be introduced into the furnace at high temperatures, and by precisely controlling the temperature and atmosphere, the impurities can be uniformly diffused in the silicon to Hanki haluttu N-tyyppinen puolijohde-materiaali .

 Esimerkkejä hapetusprosessista
Hapetus on toinen tärkeä vaihe puolijohdevalmistuksessa, jota käytetään oksidikerroksen muodostamiseen kiekon pinnalle pinnan suojaamiseksi saastumiselta ja vaurioilta . Se pystyy saamaan korkealaatuisen oksidikerroksen säätelemällä lämpötilaa ja ilmakehää hapettumisprosessin aikana .

Esimerkki: MOS: n (metallioksidipemiconductor) -laitteiden valmistuksessa SIO2: n oksidikerros muodostuu kiekkojen pinnalle . Sitä käyttämällä happi otetaan uuniin korkean lämpötilan lämpötiloissa ja reagoi kemiallisesti kiekkojen pinnan piin kanssa. kemiallinen stabiilisuus ja voi tehokkaasti suojata kiekkojen pintaa .

 Hehkutusprosessi
Hehkutus on tärkeä askel puolijohdevalmistuksessa, jota käytetään puolijohdemateriaalien virheiden ja rasitusten poistamiseen ja niiden sähköisten ominaisuuksien parantamiseen . se voi toteuttaa puolijohdemateriaalien tarkan hehkuttamisen tarkkaan säätämällä lämpötilaa ja ilmapiiriä tarkkaan hehkutusprosessin aikana .}}}}}

Esimerkki: CMOS (täydentävien metallioksidipemonuktori) -laitteiden valmistuksessa on välttämätöntä muodostaa ohutkalvojen monikerroksinen ohutkalvojen rakenne ja poistaa viat ja jännitykset ohuessa kalvossa hehkutusprosessin kautta . käyttämällä sitä, kiekot voivat hehkuttaa suuria lämpötiloja ja parantaa sitä, että atomit ja stressit ja stressit ja stressit ja stressit. Elokuva .

 Kattava
Käytännössä tarvitaan usein useita toimintoja samassa prosessissa ., esimerkiksi joidenkin monimutkaisten puolijohdelaitteiden valmistuksessa voi olla tarpeen suorittaa useita vaiheita, kuten diffuusio, hapettuminen ja hehkutus kiekkoon samanaikaisesti . Nämä vaiheet voidaan jatkuvasti kuljettaa etäisyydellä ja ilmakehässä ja ilmakehässä. se .

Esimerkki: Integroitujen piirien valmistuksessa monimutkaisten rakenteiden useita kerroksia muodostetaan kiekkoihin {. käyttämällä sitä käyttämällä useita prosessivaiheita, kuten diffuusio, hapettuminen ja hehkutus, voidaan suorittaa samassa laitoksessa . Tämä yksinkertaistaa prosessia ja parantaa tuottavuutta ja laatua .}}}}}}}}}}}}}

Suositut Tagit: Kaksi vyöhykeputken uunia, Kiina Kaksi vyöhykeputken uunin valmistajia, toimittajia, tehdas